clock+gating+placement+阶段就发生违例怎么办?

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吾爱 IC 社区近期发布了基于 28nm 工艺的 ARM Cortex-A53 CPU 的数字后端实现教程。看到粉丝们反馈的好评,特别欣慰。小编会一如既然继续码字,继续分享更多数字后端设计实现方面的技术干货。今天为大家带来低功耗技术中的一些经验分享。

Power gating 是深亚微米技术中的低功耗技术之一。它是通过关闭设计中部分电路(不需要工作时)来实现的,以减少设计中的静态(泄漏)功率。要实现这个功能 Power switch 可以完全胜任。它的原理是将 VDD 或 GND 与特定设计层次结构的标准单元分开。下图为一个典型 power gating 系统。

问题(这种情况应该尽量避免)。

每个模块中应该加多少个 MTCMOS,是非常有讲究的。加的太多会导致面积过大,routing resource 也会相应减少,影响绕线和时序。加的太少又会影响 IR Drop 过大。

所以,我们需要事先估算下模块中理论上需要加多少数量,然后再加一定的 margin,就可以得出我们最终需要添加的 MTCMOS 数量(最终要以 Redhawk 分析结果为准)。这个方法是吾爱 IC 社区小编一直在用的方法,实践表明 IR Drop 结果符合预期。

  • 根据预估功耗和供电电压,计算出模块理论上所需要的总电流

  • 再根据 MTCMOS 的电阻和其本身所能允许的最大压降值,算出理论上所需 MTCMOS 的数量

在这里,目前已经规划并正着手做的事情:

  • 基于 ARM CPU 的后端实现流程(已经发布

在这里,各位可以就公众号推文的内容或者实际项目中遇到的难题提问,小编会在 24 小时内给予解答(也可以发表你对数字后端设计实现中某个知识点的看法,项目中遇到的难点,困惑或者职业发展规划等)。

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为什么电源走线选用最上面的金属层?

因为顶层金属通常比较厚,可以通过较大的电流

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